এলইডি ত্রি-প্রুফ আলোর উত্স উপাদানগুলিতে ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক স্রাবের প্রভাব কী

আধুনিক আলোক প্রযুক্তিতে, এলইডি (হালকা-নির্গমনকারী ডায়োডগুলি) তাদের উচ্চ দক্ষতা এবং দীর্ঘ জীবনের কারণে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। যাইহোক, ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক স্রাব (ইএসডি) ঘটনাটি এলইডিগুলির নির্ভরযোগ্যতার জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ হুমকি হয়ে দাঁড়িয়েছে এবং হঠাৎ ব্যর্থতা এবং সুপ্ত ব্যর্থতা সহ বিভিন্ন ধরণের ব্যর্থতার কারণ হতে পারে।

হঠাৎ ব্যর্থতা
হঠাৎ ব্যর্থতা ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক স্রাবের শিকার হলে স্থায়ী ক্ষতি বা এলইডিগুলির শর্ট সার্কিটের সম্ভাবনা বোঝায়। যখন কোনও এলইডি বৈদ্যুতিন ক্ষেত্রে থাকে, যদি এর একটি বৈদ্যুতিন ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক শরীরের সংস্পর্শে থাকে এবং অন্য ইলেক্ট্রোড স্থগিত করা হয়, তবে কোনও বাহ্যিক হস্তক্ষেপ (যেমন স্থগিত ইলেক্ট্রোড স্পর্শকারী একটি মানুষের হাত) একটি পরিবাহী লুপ তৈরি করতে পারে। এই ক্ষেত্রে, এলইডি তার রেটেড ব্রেকডাউন ভোল্টেজের চেয়ে বেশি ভোল্টেজের শিকার হবে, যার ফলে কাঠামোগত ক্ষতি হবে। হঠাৎ ব্যর্থতা কেবল পণ্যের ফলনের হারকে উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করবে না, তবে এটি সরাসরি এন্টারপ্রাইজের উত্পাদন ব্যয় বাড়িয়ে তুলবে এবং এর বাজারের প্রতিযোগিতাকে প্রভাবিত করবে।

সুপ্ত ব্যর্থতা
ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক স্রাব এলইডিগুলির সুপ্ত ব্যর্থতাও হতে পারে। এমনকি যদি এটি পৃষ্ঠের উপর স্বাভাবিক দেখা যায় তবে এলইডি এর পারফরম্যান্স পরামিতিগুলি ধীরে ধীরে অবনতি হতে পারে, ফুটো কারেন্টের বৃদ্ধি হিসাবে প্রকাশিত হয়। গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (গাএন) ভিত্তিক এলইডিগুলির জন্য, বৈদ্যুতিনজনিত ক্ষতির কারণে সৃষ্ট লুকানো ঝুঁকিগুলি সাধারণত অপরিবর্তনীয়। এই সুপ্ত ব্যর্থতা ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক স্রাবের কারণে সৃষ্ট ব্যর্থতার একটি বৃহত অনুপাতের জন্য অ্যাকাউন্ট করে। ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক পালস শক্তির প্রভাবের কারণে, এলইডি ল্যাম্প বা ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (আইসিএস) স্থানীয় অঞ্চলে অতিরিক্ত উত্তপ্ত হতে পারে, যার ফলে তারা ভেঙে পড়েছে। প্রচলিত সনাক্তকরণে এই ধরণের ত্রুটি প্রায়শই সনাক্ত করা কঠিন। তবে, পণ্যের স্থিতিশীলতা মারাত্মকভাবে প্রভাবিত হবে এবং ডেড লাইটের মতো সমস্যাগুলি পরে ঘটতে পারে, যা পরিষেবা জীবনকে উল্লেখযোগ্যভাবে সংক্ষিপ্ত করে দেবে এলইডি ত্রি-প্রুফ ল্যাম্প এবং গ্রাহকদের জন্য অর্থনৈতিক ক্ষতির কারণ।

অভ্যন্তরীণ কাঠামোর ক্ষতি
ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক স্রাব প্রক্রিয়া চলাকালীন, বিপরীত মেরুকরণের ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চার্জগুলি এলইডি চিপের পিএন জংশনের উভয় প্রান্তে একটি ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ভোল্টেজ গঠনের জন্য জমা হতে পারে। যখন ভোল্টেজ এলইডি সর্বাধিক সহনশীলতা ছাড়িয়ে যায়, তখন ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চার্জ খুব অল্প সময়ের মধ্যে (ন্যানোসেকেন্ড স্তর) এলইডি চিপের দুটি ইলেক্ট্রোডের মধ্যে স্রাব করবে, প্রচুর তাপ উত্পন্ন করবে। এই তাপটি পরিবাহী স্তরটির তাপমাত্রা এবং এলইডি চিপের অভ্যন্তরে পিএন জংশন আলো-নির্গমনকারী স্তরকে 1400 ℃ এরও বেশি পরিমাণে বাড়িয়ে তুলতে পারে, যার ফলে স্থানীয় গলে যাওয়া এবং ছোট গর্তগুলি গঠন হয়, যার ফলে ফুটো, হালকা ক্ষয়, ডেড লাইট এবং শর্ট সার্কিটের মতো একাধিক ব্যর্থতার ঘটনা ঘটে।

মাইক্রোস্ট্রাকচারাল পরিবর্তন
মাইক্রোস্ট্রাকচারের দৃষ্টিকোণ থেকে, ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক স্রাবের ফলে এলইডি এর হিটারোজানশন ইন্টারফেসে গলে যাওয়া এবং স্থানচ্যুতি ত্রুটি হতে পারে। উদাহরণস্বরূপ, গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (জিএএএস) ভিত্তিক এলইডিগুলিতে, ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক স্রাবের ক্ষতি হিটারোজানশন ইন্টারফেসের ত্রুটিগুলি গঠনের সূত্রপাত করতে পারে। এই ত্রুটিগুলি কেবল এলইডি এর বৈদ্যুতিক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলিকে সরাসরি প্রভাবিত করে না, তবে পরবর্তী ব্যবহারের সময় ধীরে ধীরে প্রসারিত হতে পারে, যা ডিভাইসের কর্মক্ষমতা আরও অবক্ষয় ঘটায় Devery